[促銷] 高溫氧化爐(cl45)

擴散爐主要滿足半導體電力電子器件行業、大功率集成電路等行業，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統、控制系統、超凈化操作系統等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。

 技術指標：
       可處理硅片尺寸：2—12英寸
       工作溫度：200℃—1300℃
       恒溫區長度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
       單點溫度穩定性、重復性：≤±1.5℃／24h
       溫度斜變：可控升溫速率20℃／min，
       可控降溫速率：5℃／min
       送片裝置：全自動懸臂推拉舟、拉桿是推拉舟、手動推拉
       氣路系統：1—5路工藝氣體／管
       氣體控制：全自動MFC、手動浮子流量計
       控制方式：工控機、觸摸屏